单位：西安电子科技大学

研究方向： 电子科学与技术

社会任职
段宝兴，男，1977年出生，博士，教授，博士生导师。《国家重点研发计划（973计划）̶可延展柔性无机光子/电子集成器件的基础研究》子课题负责人，国家自然科学基金项目主持人。2000年获哈尔滨理工大学电子材料与元器件专业学士学位，2004年获哈尔滨理工大学材料物理与化学专业硕士学位，2007年获电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位。2007年至2009年在西安电子科技大学做博士后研究，主要与杨银堂教授合作从事宽带隙半导体SiC功率器件设计，期间在台湾大学进行学术交流八个月，主要从事应变硅应变量表征技术研究。于2010年1月至2011年1月在香港科技大学作访问学者，从事宽带隙半导体GaN功率器件设计、仿真和工艺研究，2018年获陕西省杰出青年基金。 主要从事硅基功率器件与集成、宽带隙半导体功率器件和45nm后CMOS关键技术研究。首次在国际上提出的优化功率器件新技术REBULF已成功应用于横向高压功率器件设计；与合作者提出的SOI 高压器件介质场增强ENDILF技术成功解决了高压器件纵向耐压受限问题；首次在国际上提出的完全3-D RESURF和异质结功率半导体概念已被国际同行认可。先后在《IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS》、《IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES》、《Solid-State Electronics》、《Science in China Series F: Information Sciences》、《Chinese Physics》、《Chinese Physics Letters》、《中国科学》、《半导体学报》等国际国内重要期刊上发表论文60余篇，其中50篇次被SCI、EI检索。授权国家发明专利50余项。

个人介绍
《IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS》、《IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES》、《Solid-State Electronics》、《Science in China Series F: Information Sciences》、《Chinese Physics》、《Chinese Physics Letters》期刊审稿专家。