沈鸿烈博士，亚太材料科学院院士，南京航空航天大学二级教授，博士生导师。1978年2月至1982年1月在江西大学(现改名为南昌大学)物理系半导体物理专业读本科，获理学学士学位。1982年2月至1985年8月在江西大学(现改名为南昌大学)物理系任助教。1985年9月至1990年2月在中国科学院上海冶金研究所(现改名为中国科学院上海微系统与信息技术研究所)读硕博连读研究生，获得半导体物理与半导体器件物理专业的理学博士学位，导师是中国科学院院士邹世昌研究员，毕业后留所工作。1992年7月被破格晋升为副研究员，1992年11月至1994年11月，在日本电子技术综合研究所从事STA博士后研究。回国工作后于1995年12月在中科院上海冶金研究所被破格晋升为研究员。1996年2月至2000年4月，担任信息功能材料国家重点实验室副主任，其间1998年1月被批准为博士研究生导师。2000年5月至2004年10月，分别到日本产业技术综合研究所，美国莱斯大学和加拿大多伦多大学做高级访问学者。2004年12月回国在南京航空航天大学材料科学与技术学院任二级教授。2014年起任江苏省能量转换材料与技术重点实验室副主任。 沈鸿烈教授曾于1991年获中国国务院学位委员会和国家教委联合颁发的“做出突出贡献的中国博士学位获得者”称号，1992年入选上海市第一届青年科技启明星计划，1998年获国务院特殊津贴。2013年当选亚太材料科学院院士。他是国家科技进步奖评审专家、科技部重大和重点专项的评审专家、国家自然科学基金优秀青年基金的会评专家和面上项目通讯评审专家、国家教育部“长江学者奖励计划”教授评审专家。他担任江苏省双碳专项、江苏省重大科技成果转化项目和江苏省高新技术企业评审专家近二十年。是南昌大学共青城光氢储技术研究院和河北太行创新研究院的技术委员会委员。目前担任《功能材料》杂志和《半导体光电》杂志的编委。他于2016年获得教育部科学技术进步奖二等奖1项(排名第一)， 2017年和2019年获江苏省科学技术奖三等奖各 1项(排名第二)，2017年江苏省教学成果二等奖 1项(排名第六)。

1. 用离子注入方法在GaAs和InP中获得了世界最高的载流子浓度；2. 用倒金字塔结构使晶硅太阳电池的转换效率提升了0.5%；3. 利用选择性透光技术将晶硅光伏组件的发电量提升6%以上；4. 首次在4000C温度下实现了大面积石墨烯的生长，其迁移率达到1000cm2/Vs。已培养毕业博士生37人，硕士研究生68人，培养出站博士后9人。已发表SCI论文360余篇，获批授权中国和日本发明专利33件。