单位：大连理工大学
研究方向：
社会任职
黄火林， 现任大连理工大学光电工程与仪器科学学院教授、博导，入选大连市高层次人才计划。回国加入大连理工大学后，目前作为大连理工氮化镓功率器件团队负责人（包括4位高级职称和1位中级职称专职教师），主要从事高可靠性氮化镓材料电子器件研制与新型传感器集成技术研究方向。
个人介绍
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[期刊论文]
作者：
李书兴,孙楠,刘艳红,代建勋,黄火林*
《电气工程与自动化》2023年 2卷 2期
摘要：首先研究了不同退火温度对ALD Al2O3绝缘栅介质的性能影响，进一步验证了栅极后退火（PGA）对Al2O3 AlGaN/GaN MOS-HEMT器件性能影响。实验结果表明，在400 ℃的N2氛围下5分钟快速热退火处理可以有效改善介电材料的固定电荷和耐压性能。氧化铝的击穿场强由7.0 MV/cm提高到8.0 MV/cm，滞回C-V测量表明，Al2O3中的负固定电荷密度增加一个量级、可移动电荷显著降低。经过400 ℃后栅退火（PGA）制作的Al2O3-AlGaN/GaN MOS-HEMT器件阈值电压0.7 V，亚阈值斜率230 mV/dec，栅极最大偏置电压14 V，饱和电流600 mA/mm，导通电阻为5.88 Ω•mm，109的高导通/关态电流比、小于10-6 mA/mm的低关态漏电流。
关键词：Al2O3；原子层沉积；MOSCAP；AlGaN/GaN MOS-HEMT
被引: 浏览量: 883 发表时间：2023/4/7